該產品采用H橋電路結構設計，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅動線圈、馬達等感性負載。電路內部集成N溝道和P溝道功率MOSFET，工作電壓范圍覆蓋2V到8V。27℃，VDD=6.5V條件下持續輸出電流達到0.8A，峰值輸出電流達到1A。該單路為功率器件，本身具備一定內阻，電路的發熱與負載電流、功率管導通內阻以及環境溫度密切相關。電路設計有芯片級溫度檢測電路，實時監控芯片內部發熱，當芯片內部溫度超過設定值時(典型值150℃)，產生功率管關斷信號，關閉負載電流，避免因異常使用導致的溫度持續升高，進而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴重**事故。芯片內置的溫度遲滯電路，確保電路恢復到**溫度后，才允許重新對功率管進行控制。

特性:

      低待機電流(小于0.1uA)

      低導通內阻MOSFET功率開關管

      采用MOS工藝設計功率管

     100毫安通道功率管內阻0.5歐姆

     500毫安通道功率管內阻0.7歐姆

     內部集成續流二極管—無需外接續流二極管

     超小型封裝尺寸:采用SOT23-6封裝,含引腳外形尺寸2.92mm*2.8mm。

應用:

      遙控玩具飛機

      尾翼馬達驅動

      遙控玩具飛機舵機

      馬達驅動玩具

      直流電機驅動數碼產品的馬達驅動

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